KLA R50 四探針電阻率測量儀

KLA R50 四探針電阻率測量儀產品介紹：

KLA R50 四探針電阻率測繪系統(tǒng)是KLA電阻測試系列的產品。電阻測量和監(jiān)控對于任何使用導電薄膜的行業(yè)都相當重要，從半導體制造到可穿戴技術所需的柔性電子產品。KLA R50 四探針電阻率測量儀在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測領域均可涉及。

KLA R50 四探針電阻率測量儀優(yōu)勢：

• 接觸式四點探針(4PP)和非接觸式電渦流(EC)配置；

• 100mmZ行程,高精度控制；

• 導體和半導體薄膜電阻，10個數(shù)量級范圍適用；

• 測試點自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標以及自定義配置;

• 200mmXY電動平臺;

• RSMapper軟件靈活易用;

• 兼容KLA所有薄膜電阻測量探針;

KLA R50 四探針電阻率測量儀測量原理：

四點探針(4PP)由四個導電探針組成的探頭以可控力接觸導電層表面,其中在被測導電層和襯底之間有非導電阻擋層。標準測量的探針配置是在兩個外側探針之間施加電流并在兩個內側探針之間測量電壓。測量薄膜電阻時，導電層厚度應小于兩個探針之間距離的1/2。KLA在R50四探針電阻率測量儀上研發(fā)了雙模技術，該技術允許測量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應動態(tài)校正和探針間距誤差補償功能。KLA提供了豐富的探針類型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測量，幾乎可用于任何導電薄膜或離子注入層。

電渦流(EC)是非接觸式導電薄膜測量技術。通過線圈施加時變電流以產生時變磁場，當該磁場靠近導電表面時，會在該表面中產生感應時變電流（渦流)。這些電渦流反過來會產生它們自己的時變磁場，該磁場與探針線圈耦合并產生與樣品的電阻成比例的信號變化。KLA特殊的EC技術，單個探頭位于樣品頂部，可以動態(tài)的調整每個測量點的探頭高度，這對測量的準確性和重復性相當重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測量的樣品。

KLA R50 四探針電阻率測量儀行業(yè)應用：

KLA R50 四探針電阻率測量儀產品應用：

一、金屬薄膜均勻性

金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對于確保元件性能相當重要，大多數(shù)金屬薄膜都可以通過4PP和EC進行測量。EC推薦用于較厚的高導電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq)，但無論如何，4PP/EC均表現(xiàn)出很高相關性，從而可以確保使用任何一種方法都可以獲得準確的結果。KLA R50 四探針電阻率測量儀電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質量及其它工藝波動。

二、離子注入表征

4PP法是衡量離子注入工藝的標準測量技術。在熱退火后通過測試離子注入分布可以識別由于燈故障、晶圓/平臺接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點和冷點。對于硅離子注入層，熱退火工藝對于活化摻雜離子是必要的。

三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

通過采集的晶圓數(shù)據(jù)，KLA R50 四探針電阻率測量儀可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過輸入材料的電阻率,可以計算和顯示膜厚分布;或者通過輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計算電阻率分布。

四、數(shù)據(jù)采集和可視化

KLA R50 四探針電阻率測量儀的RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和強大的分析功能結合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設備本身，也可以進行離線使用。軟件自帶的各種坐標布局工具可以幫助用戶輕松設置數(shù)據(jù)測量點。

KLA R50 四探針電阻率測量儀產品參數(shù)：

KLA R50 四探針電阻率測量儀測量圖：